Exploiting the dynamic properties of FET-based chemical sensors

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Exploiting the dynamic properties of FET-based chemical sensors

After a long period of mainly static application of ISFETS, other more sophisticated applications are now being developed, based on the exploitation of the dynamic properties of ISFETS. Examples are the use of flow-through cells with sample injection and the integration of a p H actuator electrode for very fast titration in a microvolume. Also, the most recent development of an immunoFET makes ...

متن کامل

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

15 صفحه اول

Towards an Optimization of Fet-based Bio-sensors

Over the past 10 years, it has become possible to use the ISFET device as a cellular probe. The advantages of the ISFET, as opposed to conventional microelectrodes are (i) the possibility of measuring metabolic activity (via small pH changes in the culture media); (ii) the local amplification of the signal yielding less interference and noise and (iii) the possibility to multiplex transistor ar...

متن کامل

Representation of the temperature nano-sensors via cylindrical gate-all-around Si-NW-FET

In this paper, the temperature dependence of some characteristics of cylindrical gate-all-around Si nanowire field effect transistor (GAA-Si-NWFET) is investigated to representing the temperature nano-sensor structures and improving their performance. Firstly, we calculate the temperature sensitivity of drain-source current versus the gate-source voltage of GAA-Si-NWFET to propose the temperatu...

متن کامل

Representation of the temperature nano-sensors via cylindrical gate-all-around Si-NW-FET

In this paper, the temperature dependence of some characteristics of cylindrical gate-all-around Si nanowire field effect transistor (GAA-Si-NWFET) is investigated to representing the temperature nano-sensor structures and improving their performance. Firstly, we calculate the temperature sensitivity of drain-source current versus the gate-source voltage of GAA-Si-NWFET to propose the temperatu...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Physics E: Scientific Instruments

سال: 1989

ISSN: 0022-3735

DOI: 10.1088/0022-3735/22/9/001